具有低缺陷密度之半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明揭露一种半导体发光元件及其制造方法。根据本发明之半导体发光元件包含一基板、一多层结构以及一欧姆电极结构。该基板具有一第一上表面以及形成于该第一上表面上之复数个凹陷。该多层结构系形成于该基板上并且包含一发光区。该多层结构之一最底层系形成于该基板之该第一上表面上。该最底层具有一第二上表面以及形成于该第二上表面上之复数个均匀分布的孔洞。该欧姆电极结构系形成于该多层结构上。