形成非对称间隙壁的方法及制造具有非对称间隙壁之半导体元件的方法

摘要

本发明系揭露一种制造非对称间隙壁之方法、使用非对称间隙壁所制造的结构、以及一种用以制造非对称间隙壁的装置。该方法包含：形成一结构于一基板上，此结构具有一顶面以及相对的第一与第二侧壁，并具有平行于侧壁的一纵轴；形成一共形层于基板之顶面、结构之顶面、以及结构之侧壁上；基板对着一纵轴倾斜，此纵轴相关于反应性离子的一流量(flux)，反应性离子之流量以一锐角之角度侵袭共形层；以及暴露共形层于反应性离子之流量下，直到共形层从结构之顶面及基板之顶面除去，而于第一侧壁留下一第一间隙壁以及于第二侧壁留下一第二间隙壁，第一间隙壁比第二间隙壁薄。