非挥发性半导体储存装置、非挥发性半导体储存系统及非挥发性半导体储存系统中之管理缺陷行之方法

摘要

本发明揭示一种非挥发性半导体储存装置，其包括：一记忆单元阵列，其中配置非挥发性记忆单元；一第一资料保持电路(PB0、PB1、…、PB7)，其暂时保持欲同时从该等记忆单元读取或向该等记忆单元写入的读取或写入资料之一集合处理单位；一电路(DEC1、DEC2、DL(0)、DLn(0)、…、DL(7)、DLn(7))，其从该装置取出保持于该第一资料保持电路中的资料；以及一第二资料保持电路(19)，其中在开启电源之一时间自动设定资料而且其中可基于向该装置输入之一命令来改变该资料，其中该集合处理单位系等于在该装置内使用的单位之数目与连续从该装置向外部输出或从外部输入该装置的单元之最大数目之一和。