| 发明名称 |
ＧａＮ基板、附磊晶层基板、半导体装置及ＧａＮ基板之制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种可获得使发光效率提高之发光元件等半导体装置的GaN基板、于该GaN基板之主表面上形成有磊晶层之附磊晶层基板、半导体装置及GaN基板之制造方法。本发明之GaN基板系具有主表面之GaN基板，面方位[0001]相对于主表面之法线向量2朝互不相同之2个偏离角方向倾斜。 |
| 申请公布号 |
TW200903867 |
申请公布日期 |
2009.01.16 |
| 申请号 |
TW097118520 |
申请日期 |
2008.05.20 |
| 申请人 |
住友电气工业股份有限公司 |
发明人 |
笠井仁;石桥惠二;中成二;秋田胜史;京野孝史;三浦祥纪 |
| 分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
