| 摘要 |
L'invention concerne un capteur d'images (1) comprenant des cellules photosensibles (B, G, R), chaque cellule photosensible comportant au moins un moyen de stockage de charges (11R, 11G, 11B) formé au moins en partie dans un substrat (9) d'un matériau semiconducteur. Le substrat comprend, pour au moins une première cellule photosensible (B), une portion (10B) d'un premier alliage de silicium et de germanium ayant une première concentration de germanium (XB), éventuellement nulle, et pour au moins une deuxième cellule photosensible (G, R), une portion (10G, 10R) d'un deuxième alliage de silicium et de germanium ayant une deuxième concentration de germanium (XG, XR), non nulle, strictement supérieure à la première concentration de germanium.
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