| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung stellt eine integrierte Schaltungsvorrichtung bereit, aufweisend ein Halbleitersubstrat und eine Gateelektrodenstruktur auf dem Halbleitersubstrat mit wenigstens einer isolierenden Schicht aus dielektrischem Material auf dem Halbleitersubatrat und eine Metallschicht auf der wenigstens einen isolierenden Schicht, wobei die Metallschicht Niobium (Nb), Vanadium (V), Chrom (Cr), Wolfram (W) und/oder Molybdän (Mo) enthält.
|
