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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Maskeninspektion, bei dem die auf den untersuchten Masken ermittelten Defekte einer Klassifizierung hinsichtlich ihrer lithographischen Relevanz im Waferbelichtungsprozess unterzogen werden. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte wird die lithographische Relevanz von Defekten ermittelt, indem Aerial Images erzeugt und analysiert werden, wobei die Aerial Images entweder durch die Beleuchtung und Abbilden der Masken unter Lithographiebedingungen und direktes Messen in der Waferebene oder durch Messen der Transmission und Phase an der Maskenoberfläche und Berechnen des Aerial Images für bestimmte Lithographieeinstellungen erzeugt werden und zur Klassifizierung der Defekte verschiedene Regeln, die die lithographische Relevanz der Defekte berücksichtigen, angewandt und so defekte Masken ausgesondert werden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sollen insbesondere die auf Lithographie-Masken detektierten Defekte hinsichtlich ihrer Relevanz für den Waferbelichtungsprozess untersucht werden. Hierbei können sowohl Defekte in den transparenten als auch den nichttransparenten Bereichen klassifiziert werden.
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