发明名称 Verfahren zur Verbesserung der Verbindung zwischen Aluminium und Kupfer in einem Halbleiter-Metallleitungs-Prozess
摘要 Ein Verfahren zur Verbesserung einer Aluminium-Kupfer-Verbindung in einem Halbleiter-Metallleitungs-Prozess. Um eine Verringerung der Ausbeute von Wafern zu verhindern, die durch eine Kupfer-Absonderung bewirkt wird, die aus einer Zeitverzögerung während eines Metall-Abscheidungs-Prozesses resultiert, werden Kupfer-Ablagerungen durch einen Abschreck-Prozess wieder in die Aluminium-Schicht verfestigt, bei dem ein Anlassen an dem Wafer bei einer vorher festgelegten Temperatur für eine vorher festgelegte Zeit, die mit der Zeitverzögerung in Beziehung steht, durchgeführt wird.
申请公布号 DE102008029607(A1) 申请公布日期 2009.01.15
申请号 DE200810029607 申请日期 2008.06.23
申请人 DONGBU HITEK CO. LTD. 发明人 KIM, GEON-HI
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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