| 摘要 |
Eine Vorrichtung (400) umfasst ein MuGFET-Bauelement (403), welches mit einer Referenzquelle gekoppelt ist. Dabei ist das MuGFET-Bauelement (403) derart ausgestaltet, dass es an seinem Gate ein Eingangssignal (V<SUB>in</SUB>) entgegennimmt. Die Vorrichtung (400) umfasst darüber hinaus ein weiteres MuGFET-Bauelement (402), welches zwischen dem MuGFET-Bauelement (403) und einem ersten Anschluss (406) einer Last (408) gekoppelt ist, wobei ein zweiter Anschluss der Last mit einer weiteren Referenzquelle (V<SUB>D</SUB>) gekoppelt ist. Das weitere MuGFET-Bauelement (402) ist derart ausgestaltet, dass es an seinem Gate ein weiteres Eingangssignal (V<SUB>CASC</SUB>) entgegennimmt. Das MuGFET-Bauelement (403) und das weitere MuGFET-Bauelement (402) sind über einem Substrat (520) angeordnet und sind derart ausgestaltet, dass sie ein Ausgangssignal an dem ersten Anschluss (406) der Last (408) bereitstellen.
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