发明名称 |
Speicherbauelement, Speicher und Verfahren zum Bearbeiten eines derartigen Speichers |
摘要 |
Ausführungsformen der Erfindung beziehen sich auf ein integriertes Speicherbauelement, einen integrierten Speicherchip und auf ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Speicherbauelements, umfassend wenigstens ein integriertes Speicherbauelems, einem Floating Gate, einem Auswahlgate-Anschluss und einem Steuergate-Anschluss, wobei die Leitfähigkeit zwischen dem Drainanschluss und dem Sourceanschluss unabhängig über den Steuergate-Anschluss gesteuert werden kann.
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申请公布号 |
DE102008032551(A1) |
申请公布日期 |
2009.01.15 |
申请号 |
DE200810032551 |
申请日期 |
2008.07.10 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
STRENZ, ROBERT;PETERS, CHRISTIAN |
分类号 |
H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/788 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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