Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur mit einem Ausbilden von mindestens einer Seitenwandabstandshalterstruktur

摘要

Gemäß einer veranschaulichenden Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur ein Bereitstellen eines Halbleitersubstrats mit einem ersten Strukturelement und einem zweiten Strukturelement. Über dem ersten Strukturelement und dem zweiten Strukturelement wird eine Materialschicht ausgebildet. Über dem ersten Strukturelement wird eine Maske ausgebildet. Es wird mindestens ein Ätzprozess durchgeführt, der dafür ausgelegt ist, neben dem zweiten Strukturelement aus einem Teil der Materialschicht eine Seitenwandabstandshalterstruktur zu bilden. Die Maske schützt einen Teil der Materialschicht über dem ersten Strukturelement davor, durch den mindestens einen Ätzprozess angegriffen zu werden. Es wird ein Ionenimplantationsprozess durchgeführt. Die Maske bleibt während des Ionenimplantationsprozesses über dem ersten Strukturelement.