| 摘要 |
Eine Leistungshalbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung weist einen aktiven Bereich (12) und einen Bereich zur Verringerung der elektrischen Feldstärke (14) auf und beinhaltet: eine Emitterregion (92) eines ersten Leitungstyps; eine Basisregion (96) eines zweiten Leitungstyps in Kontakt zu der Emitterregion (92); eine Region, welche für die Spannungsfestigkeit sorgt (28), des ersten Leitungstyps in Kontakt zu der Basisregion (96); eine Kollektorregion (34, 38) des zweiten Leitungstyps in Kontakt zu der Region, welche für die Spannungsfestigkeit sorgt (28), und eine Kollektorelektrode (20) in Kontakt zu der Kollektorregion, wobei die Kollektorregion (34, 38) sowohl auf einem aktiven Bereich (12) als auch einem Bereich zur Verringerung der elektrischen Feldstärke (14) angeordnet ist, von denen jeder einen Dotierstoff des zweiten Leitungstyps enthält. Die Kollektorregion (34), welche auf dem Bereich zur Verringerung der elektrischen Feldstärke angeordnet ist, enthält einen Bereich mit einer niedrigeren Dichte an Ladungsträgern des zweiten Leitungstyps als jener der Kollektorregion (38), die auf dem aktiven Bereich angeordnet ist.
|
