非易失性存储器的制作方法

摘要

一种非易失性存储器的制作方法。首先，于基底中形成隔离结构以定义出有源区。隔离结构平行排列，且突出基底的表面。然后，于基底上形成与隔离结构交错排列的掩模层，且掩模层的表面高于隔离结构的表面。接着，于基底中形成掺杂区。之后，于掩模层之间的基底上形成绝缘层。绝缘层的材料与掩模层的材料具有不同蚀刻选择性。然后，移除掩模层，暴露出基底。于基底上形成隧穿介电层后，于隔离结构与绝缘层包围的基底上形成浮置栅极。浮置栅极的表面低于隔离结构的表面。之后，于基底上形成栅间介电层。随之，于绝缘层之间形成控制栅极。

主权项

1.一种非易失性存储器的制作方法，包括：提供基底；于该基底中形成多个隔离结构以定义出多个有源区，该些隔离结构平行排列并突出该基底的上表面；于该基底上形成多个掩模层，该些掩模层与该些隔离结构交错排列，该些掩模层的上表面高于该些隔离结构的上表面；于该基底中形成多个掺杂区；于该些掩模层之间的该基底上形成多个绝缘层，且该些绝缘层的材料与该些掩模层的材料具有不同蚀刻选择性；移除该些掩模层，以暴露出该基底；于该基底上形成隧穿介电层；于该些隔离结构与该些绝缘层所包围的该基底上形成多个浮置栅极，且该些浮置栅极的表面低于该些隔离结构的表面；于该基底上形成栅间介电层；以及于该些绝缘层之间形成多个控制栅极，且该些控制栅极与该些有源区交错。