| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置，其包括：在半导体基板上形成的第一组晶体管；以及在所述半导体基板上形成的第二组晶体管，所述第二组中每个晶体管的工作电压低于所述第一组中每个晶体管的工作电压；其中，所述第一组中的每个晶体管包括经过第一栅绝缘膜在所述半导体基板上形成的第一栅电极和在所述第一栅电极上形成的硅化物层；所述第二组中的每个晶体管包括经过第二栅绝缘膜在形成于所述半导体基板上面的绝缘膜中的栅形成用沟槽内形成的第二栅电极；并且，形成有保护膜使其覆盖住所述第一组晶体管的每个第一栅电极上的所述硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101345244A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810133183.9 | 申请日期 | 2008.07.09 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 王俊利;平野智之;片冈豊隆;萩本贤哉 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：在半导体基板上形成的第一组晶体管；以及在所述半导体基板上形成的第二组晶体管，所述第二组晶体管中每个晶体管的工作电压低于所述第一组晶体管中每个晶体管的工作电压；其中所述第一组晶体管中的每个晶体管包括经过第一栅绝缘膜在所述半导体基板上形成的第一栅电极和在所述第一栅电极上形成的硅化物层；所述第二组晶体管中的每个晶体管包括经过第二栅绝缘膜在形成于所述半导体基板上面的绝缘膜中的栅形成用沟槽内形成的第二栅电极；并且，形成有保护膜使其覆盖住所述第一组晶体管的每个第一栅电极上的所述硅化物层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||