| 发明名称 | 在半导体元件上制造金属硅化物层的方法 | ||
| 摘要 | 在半导体元件中制造金属硅化物层。通过PVD在形成有具有接触孔的层间介质的硅衬底上沉积第一金属层。通过CVD和ALD中的任一种在所述第一金属层上沉积第二金属层。对形成有所述第一和第二金属层的硅衬底进行退火，以形成金属硅化物。去除退火过程中所述第二金属层和第一金属层未反应的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101345211A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810214751.8 | 申请日期 | 2008.07.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司;汉阳大学校产学协力团 | 发明人 | 李荣镇;金栢满;金秀贤;郑东河;金鼎泰;全萤卓;李根雨;金根俊;朴台容 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 1.一种在半导体元件上制造金属硅化物层的方法，所述方法包括下列步骤：使用物理气相沉积(PVD)在硅衬底上沉积第一金属层，所述硅衬底具有带有接触孔的层间介质；使用化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)在所述第一金属层上沉积第二金属层；对所述第二金属层和所述第一金属层进行退火以形成所述金属硅化物层；和去除所述第一和第二金属层在所述退火步骤中未形成为所述金属硅化物层的部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||