发明名称 |
用于在光学集成电路上制造抗反射表面的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于在光学集成电路上制造抗反射表面以便改善在光电探测器中对光的吸收的方法。本发明基于以下任务,即提供一种能够以低的复杂性并且由此以低的成本实现的、用于在光学集成电路上制造抗反射表面的方法,该方法与IC和单个器件技术是兼容的。该方法通过以下方式来实现,即在光电探测器的表面上光刻制造规则的硬掩模光栅,接着执行结构蚀刻步骤,直到进入硅中预先给定的深度,使得形成以规则分布的方式布置的倒金字塔,并且在蚀刻时被中断的、光电探测器的阳极或阴极通过另外的植入步骤来重建。 |
申请公布号 |
CN100452443C |
申请公布日期 |
2009.01.14 |
申请号 |
CN200480032030.5 |
申请日期 |
2004.10.20 |
申请人 |
英飞凌科技股份公司 |
发明人 |
G·朗古特;K·米勒;H·韦勒 |
分类号 |
H01L31/0232(2006.01);H01L31/0216(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/0232(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
卢江;魏军 |
主权项 |
1.用于为光学集成电路制造抗反射表面以便改善在硅光电探测器中对光的吸收的方法,在所述光电探测器的表面上光刻制造规则的硬掩模光栅,接着执行结构蚀刻步骤,直到进入硅中预先给定的深度,并且在蚀刻时被中断的、所述光电探测器的阳极或阴极通过另外的植入步骤来重建,其特征在于,通过所述结构蚀刻步骤产生凹穴或沟槽,该凹穴或沟槽具有比带有(111)面的金字塔更尖的角。 |
地址 |
德国慕尼黑 |