薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制作方法，可利用一道光掩模同时定义源/漏极与轻掺杂漏极区，且仅利用一道干蚀刻即可完成具有栅极脚结构的栅极。因此，本发明可大幅减少具有栅极重叠结构轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的工艺步骤，如此一来，不但可达到减少多晶硅薄膜晶体管工艺的光掩模使用次数的目的，且由于工艺的步骤减少，因此可提升量产速度及增加成品率。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基底，并形成一图形化的多晶硅层于该基底之上；依序顺应性形成一栅极绝缘层、一第一导电层、及一第二导电层于该多晶硅层之上；形成一图形化光致抗蚀剂层于该第二导电层之上；利用该图形化光致抗蚀剂层作为掩模，对该第一导电层及第二导电层进行一干蚀刻工艺，以形成一具有栅极脚结构的栅极；以及利用该具有栅极脚结构的栅极作为掩模，对该多晶硅层进行一重度掺杂工艺，以形成一源/漏极区及一轻掺杂漏极区，其中，该干蚀刻工艺具有一主蚀刻阶段及一过蚀刻阶段，包含以下步骤：在主蚀刻阶段，提供一反应气体及一偏压，并以该栅极绝缘层作为蚀刻停止层，各向异性蚀刻该第一导电层及第二导电层，以分别形成一第一栅极层及一第二栅极层；以及在过蚀刻阶段，中止提供或调降该偏压，以该反应气体对该第二栅极层进行选择性蚀刻，露出两侧的第二栅极层，其中该第一导电层及该第二导电层为不同的材料。