GaN基Ⅲ－Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法

摘要

在此提供一种GaN基III-V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III-V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间夹着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。

主权项

1.一种发光器件，其中包括：发光的活性层；被设置为相互面对并围绕该活性层的第一和第二电极；形成在活性层与第一电极之间的第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其与第一化合物半导体层相对，形成在活性层与第二电极之间；以及高阻蚀性基片，其形成在第一化合物半导体层的底部，并且被部分除去，以允许第一化合物半导体层与第一电极之间电接触，其中，第一电极包括电阻接触层以及形成在该电阻接触层上的导热层，所述电阻接触层覆盖通过高阻蚀性基片的被除去区域而暴露出的第一化合物半导体层的一个区域。