发明名称 | 用于管理高密度一次写入记录介质的缺陷的方法和设备 | ||
摘要 | 提供了一种允许缺陷管理的高密度一次写入记录介质以及一种用于管理缺陷的方法和设备。根据该高密度一次写入记录介质,数据以轨道或簇被写入该记录介质,写入的数据被验证,并且如果发现缺陷,则缺陷部分被跳过,并且相应于该缺陷部分的数据和随后写入的数据被重新写入下一个可用记录位置。使用滑移替换的缺陷管理方法应用于在其中缺陷被发现的高密度一次写入记录介质,由此通过将在该记录介质中发现的缺陷滑移来允许连续记录,并且还提高了该记录介质的可靠性。 | ||
申请公布号 | CN100452224C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
申请号 | CN03819002.8 | 申请日期 | 2003.06.05 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 高祯完;李坰根 |
分类号 | G11B20/18(2006.01) | 主分类号 | G11B20/18(2006.01) |
代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;谭昌驰 |
主权项 | 1、一种用于高密度一次写入记录介质的缺陷管理方法,该方法包括以下步骤:将数据以预定记录单位写入,并且在写入了该预定记录单位的数据之后验证写入的数据;如果在验证期间发现缺陷则跳过缺陷部分,并且将相应于该缺陷部分的数据和随后写入的数据重新写入下一个可用记录位置;将关于被跳过的缺陷部分的信息和随后写入的数据存储在记录/再现设备的暂时存储器中;和在写入后验证的操作被顺序地执行以写入所有将被记录的数据之后,使用存储在记录/再现设备的暂时存储器中的信息将关于在记录介质上存在的缺陷的信息记录在记录介质上的预定区域中。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |