砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法

摘要

一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长。

主权项

1、一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上生长晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长；其中在衬底上生长各层之前，均应确定在设定的生长速率和材料组分下铝、镓源炉的束流值，其方法是测量符合设计组分的铝镓砷外延层厚度，除以外延时间，得到在该铝和镓源炉束流值下对应的铝镓砷的生长速率，再根据铝镓砷中的镓、铝组分的比例关系得到镓砷的生长速率进而得到镓源炉的束流值；其中设定的有源区中镓砷生长速率为0.4～0.7μm/h，其余各层的镓砷生长速率为0.8～1.1μm/h。