发明名称 坡莫合金铁芯薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种坡莫合金铁芯薄膜的制备方法,其特点是包括以下步骤:(a)用丙酮对Si(111)单晶进行超声清洗,然后用无水乙醇再超声清洗,用去离子水反复冲洗,干燥后将硅基片置于衬底台上;(b)将沉积系统抽真空后加热衬底,使硅基片温度升至200~300℃,并维持真空室压强;(c)离子束薄膜沉积系统的技术参数为:离子能量为850~900ev,离子束流密度为70mA/cm<SUP>2</SUP>,中和电流密度为90mA/cm<SUP>2</SUP>,离子束溅射角为45°,Ar工作气压为2.0×10<SUP>-2</SUP>Pa进行镀膜,镀膜时间为40~180min。由于采用离子束薄膜沉积技术,制备出的铁芯薄膜材料的直流相对磁导率由现有技术的760提高到10<SUP>5</SUP>,矫顽力由现有技术的2.5Oe减小到0.1Oe。
申请公布号 CN101343723A 申请公布日期 2009.01.14
申请号 CN200810150774.7 申请日期 2008.09.02
申请人 西北工业大学 发明人 刘诗斌;梁晋涛;罗巍
分类号 C23C14/14(2006.01);C23C14/48(2006.01) 主分类号 C23C14/14(2006.01)
代理机构 西北工业大学专利中心 代理人 黄毅新
主权项 1、一种坡莫合金铁芯薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(a)用丙酮对Si(111)单晶进行超声清洗5~10min,然后用无水乙醇再超声清洗5~10min,用去离子水反复冲洗,干燥后将硅基片置于衬底台上;(b)将沉积系统的真空室抽真空至4×10-4~4×10-5Pa后加热衬底,边抽真空边加热,使硅基片温度升至200~300℃,并使真空室压强保持在4×10-4~4×10-5Pa;(c)离子束薄膜沉积系统的技术参数为:离子能量为850~900ev,离子束流密度为70mA/cm2,中和电流密度为90mA/cm2,离子束溅射角为45°,Ar工作气压为2.0×10-2Pa进行镀膜,镀膜时间为40~180min。
地址 710072陕西省西安市友谊西路127号
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