高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

本发明提出一种高压金属氧化物半导体晶体管，其包括掺杂基底、两个第一隔离结构、栅极结构、源极区、漏极区、两个第二隔离结构以及两个漂移区。其中，两个第一隔离结构分别配置于掺杂基底中。栅极结构配置于部分两个第一隔离结构及其之间的掺杂基底上。源极区与漏极区分别配置于两个第一隔离结构一侧的掺杂基底中。两个第二隔离结构分别配置于两个第一隔离结构下方，而第二隔离结构的上表面小于第一隔离结构的下表面。两个漂移区分别配置于掺杂基底中，且将源极区与漏极区、两个第一隔离结构以及两个第二隔离结构包围起来。

主权项

1.一种高压金属氧化物半导体晶体管，包括：一第一型掺杂基底；两个第一隔离结构，分别配置于该第一型掺杂基底中；一栅极结构，配置于部分该两个第一隔离结构及其之间的该第一型掺杂基底上，其中该栅极结构包括一栅极绝缘层与一栅极；一第二型源极区与一第二型漏极区，分别配置于该两个第一隔离结构一侧的该第一型掺杂基底中；两个第二隔离结构，分别配置于该两个第一隔离结构下方，而该第二隔离结构的上表面小于该第一隔离结构的下表面；以及两个第二型漂移区，分别配置于该第一型掺杂基底中，且将该第二型源极区、该第二型漏极区、该两个第一隔离结构以及该两个第二隔离结构包围起来。