浅沟槽隔离工艺中库伊效应的测试结构及监测方法

摘要

本发明提供了一种浅沟槽隔离工艺中库伊效应的测试结构及监测方法，所述测试结构包括有源区以及形成于有源区上层的多晶硅，所述有源区和多晶硅上分别设有通孔，以引出金属线，所述有源区采用弯曲的结构，以产生多个浅沟槽隔离转角。所述监测方法通过监控有源区的浅沟槽隔离转角处，有源区和多晶硅之间的击穿电压以判断浅沟槽隔离转角处是否产生了库伊效应。采用本发明的测试结构及监测方法，可方便地判断出浅沟槽隔离转角处是否产生了库伊效应，以便采取相应的措施来避免栅极氧化层的击穿，进而提高整个半导体工艺的可靠性。

主权项

1、一种浅沟槽隔离工艺中库伊效应的测试结构，所述测试结构包括有源区以及形成于有源区上层的多晶硅，所述有源区和多晶硅上分别设有通孔，以引出金属线，其特征在于，所述有源区采用弯曲的结构，以产生多个浅沟槽隔离转角。