发明名称 辐射芯片
摘要 本发明提供一种用于光电子学的芯片,尤其是发光二极管芯片,它具有一个发出光子的有源区(8)和一个具有至少一个耦合输出面(7,15,17)的耦合输出窗(4),其特征在于,该有源区(8)与该芯片的一个主辐射方向(18)有关地设置在该耦合输出窗(4)的后面,在该耦合输出窗(4)的与该有源区(8)对置的侧面(5)上形成一个镜面(6),该耦合输出面(7,15,17)从侧面超出该有源区(8)的侧面,该耦合输出面具有弯曲的表面,对沿该耦合输出面的该有源区(8)的最大一半尺寸R<SUB>1</SUB>来说,适用以下条件,即R<SUB>1</SUB><R<SUB>2</SUB>n<SUB>A</SUB>/n<SUB>i</SUB>,其中R<SUB>2</SUB>是该耦合输出面(7)的曲率半径,n<SUB>A</SUB>是环境的折射率,n<SUB>i</SUB>是该耦合输出窗的材料的折射率。
申请公布号 CN100452453C 申请公布日期 2009.01.14
申请号 CN200510116481.3 申请日期 2001.11.06
申请人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明人 J·保尔;D·埃泽尔特;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;U·雅各布;R·奥伯施米德;W·普拉斯;U·施特劳斯;J·维克尔;U·策恩德
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 胡强
主权项 1、用于光电子学的芯片,它具有一个发出光子的有源区(8)和一个具有至少一个耦合输出面的耦合输出窗(4),其特征在于,该有源区(8)在该芯片的一个主辐射方向(18)上设置在该耦合输出窗(4)的后面,在该耦合输出窗(4)的与该有源区(8)对置的侧面(5)上形成一个镜面(6),该耦合输出面从侧面超出该有源区(8)的侧面,该耦合输出面具有弯曲的表面,对沿该耦合输出面的该有源区(8)的最大一半尺寸R1来说,适用以下条件,即R1<R2nA/ni,其中R2是该耦合输出面的曲率半径,nA是环境的折射率,ni是该耦合输出窗的材料的折射率。
地址 德国雷根斯堡