分离互补式掩模图案化转移方法

摘要

一种图案化方法，允许互补刻线集的单独转移。在一个实施例中，例如，该方法包括蚀刻相移掩模(PSM)，然后对于cPSM掩模蚀刻切割掩模。此外，分离互补式掩模图案化转移方法包括两个独立和分离的掩模图案化步骤，通过在最终晶片图案化之前使用到中间硬掩模的局部图像转移，形成组合图案。选择中间硬掩模和最终硬掩模材料，以防止在最终蚀刻工艺之前将图像转移到下层衬底或晶片中。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有第一层的晶片；在第一层上形成非图案化的第一硬掩模；在非图案化的第一硬掩模上形成第二硬掩模叠层；根据第一图案对第二硬掩模叠层图案化，其中，图案化包括将第二硬掩模叠层第一部分蚀刻到第一厚度；根据第二图案对第二硬掩模叠层第二次图案化，其中，第二次图案化包括将第二硬掩模叠层第二部分蚀刻到第二厚度；第二次图案化后，覆盖蚀刻第二硬掩模叠层以形成第二硬掩模叠层的第一多个图案结构，其中所述覆盖蚀刻也部分蚀刻到通过覆盖蚀刻暴露的第一硬掩模的各部分中；以第一多个图案结构蚀刻第一硬掩模，以形成第一硬掩模的第二多个图案结构，其中通过第一硬掩模的所述蚀刻而暴露的第一层的各部分没有被蚀刻；以及以第二多个图案结构蚀刻第一层，以形成第一层的第三多个图案结构，其中通过第一层的所述蚀刻而暴露的晶片的各部分在第一层的蚀刻期间保持不受损伤，其中第一硬掩模包括第一材料，第二硬掩模叠层包括第二材料，能够从第二材料对第一材料进行选择性蚀刻，能够从第一材料对第二材料进行选择性蚀刻，并且其中能够从第一层的材料对第一材料进行选择性蚀刻，从而允许在第一层中形成第三多个图案结构之前，减小在第一硬掩模的第二多个图案结构中的蚀刻深度差异。