CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。本方法包括步骤：在半导体基片上形成隔离层，限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述晶体管区中形成栅，所述栅包括栅电极和插入在所述栅电极和所述基片之间的栅绝缘层；在所述光电二极管区中形成第一低浓度扩散区；在所述晶体管区中形成第二低浓度扩散区；在所述基片的整个表面之上形成缓冲层，所述缓冲层被选择性地移除以覆盖所述光电二极管区；在所述基片的整个表面之上形成第一和第二绝缘层，所述第一和第二绝缘层具有彼此不同的蚀刻选择性；通过所述第二绝缘层的选择性移除在所述栅电极的两侧上形成绝缘侧壁；选择性地移除所述光电二极管区之外的其他区上的所述第一绝缘层；在被暴露的晶体管区中形成高浓度扩散区，部分地重叠所述第二低浓度扩散区；以及在形成所述高浓度扩散区的基片的表面上形成金属硅化物层。

主权项

1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括步骤：在半导体基片上形成隔离层，限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述晶体管区中形成栅，所述栅包括栅电极和插入在所述栅电极和所述基片之间的栅绝缘层；在所述光电二极管区中形成第一低浓度扩散区；在所述晶体管区中形成第二低浓度扩散区；在所述基片的整个表面之上形成缓冲层，所述缓冲层被选择性地移除以覆盖所述光电二极管区；在所述基片的整个表面之上形成第一和第二绝缘层，所述第一和第二绝缘层具有彼此不同的蚀刻选择性；通过所述第二绝缘层的选择性移除在所述栅电极的两侧上形成绝缘侧壁；选择性地移除所述光电二极管区之外的其他区上的所述第一绝缘层；在被暴露的晶体管区中形成高浓度扩散区，部分地重叠所述第二低浓度扩散区；以及在形成所述高浓度扩散区的基片的表面上形成金属硅化物层。