镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法

摘要

一种镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法，该方法包括：一、靶材的制备，即首先把分析纯的Ni₂O₃、La₂O₃氧化物粉末以1∶1的比例混合，进行预烧，预烧后之后进行球磨，然后压成直径50mm，厚度4mm的圆片，最后在1050～1150℃度高温中烧结成陶瓷靶；二、薄膜材料的制备，即采用射频磁控溅射法，调整好溅射机的各项参数，衬底原位加热到一定温度后，溅射沉积所需厚度的薄膜。本发明的方法制得的薄膜具有高度的择优取向和良好的导电性，表面致密平整，在室温下的电阻率约为1mΩcm。这种薄膜可以用作制备高质量钙钛矿结构铁电薄膜材料的缓冲层，或者可作为铁电薄膜器件的底电极。

主权项

1、一种镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步、靶材的制备：1)以Ni2O3、La2O3氧化物粉末为起始原料，将La2O3氧化物粉末在750～800℃预烧2～3h；预烧完按照Ni2O3和La2O3的质量比为1∶1的比例配料；2)配比混合好的物料在800℃到900℃温度中预烧2到4小时；3)预烧好的物料在球磨机中球磨12到20小时，球磨介质是丙酮；4)将球磨好的物料压成直径为50mm，厚度为4mm的圆片；5)将圆片在1050℃到1150℃的高温中烧结2到4小时，得到溅射所需的陶瓷靶；第二步、薄膜材料的制备：溅射机的参数分别为：靶与基底间距离为100mm，背底真空压强10-4帕，溅射本底压强为1.33帕，衬底原位加热到温度为240℃到320℃时，通入氩气和氧气，调整氧分压为10％到25％，射频功率为60到120w进行溅射，然后通过X射线衍射法分析LNO薄膜晶体的晶向。