发明名称 半导体集成电路的生产方法、设计方法和设计系统
摘要 一种半导体集成电路的生产方法,包括:生成构成单元的元件的模型参数,其中,所述模型参数由设计值和设计值的偏差的分布函数限定;使用所述模型参数执行电路仿真,以生成响应函数,所述响应函数表示单元特性对模型参数的响应;以及通过使用响应函数来生成统计单元库。用于电路设计和验证的统计单元库给出单元特性的期望值和统计偏差。统计偏差被表示为分布函数和灵敏度的乘积。灵敏度基于响应函数进行计算。当模型参数被更新时,在没有执行电路仿真的情况下,统计单元库通过使用更新后模型参数和响应函数而更新。
申请公布号 CN101344898A 申请公布日期 2009.01.14
申请号 CN200810135766.5 申请日期 2008.07.11
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 斋藤敏幸;吉野哲夫
分类号 G06F17/50(2006.01);H01L21/82(2006.01) 主分类号 G06F17/50(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 陆锦华;黄启行
主权项 1.一种半导体集成电路的生产方法,包括:生成构成单元的元件的模型参数,其中,所述模型参数通过设计值和所述设计值的偏差的分布函数限定;使用所述模型参数执行电路仿真,以生成响应函数,所述响应函数表示所述单元的特性对所述模型参数的响应;使用所述响应函数生成统计单元库,其中所述统计单元库给出单元的所述特性的预测值和统计偏差,其中所述统计偏差表示通过所述分布函数和灵敏度的乘积来表示,其中所述灵敏度基于所述响应函数进行计算;当所述模型参数被更新时,更新所述统计单元库,其中在没有执行电路仿真的情况下,使用更新后的所述模型参数和所述响应函数来更新所述统计单元库;使用所述统计单元库设计并验证半导体集成电路;以及制造所述设计的半导体集成电路。
地址 日本神奈川