| 发明名称 | 包括多电平单元的非易失性存储器设备和系统及方法 | ||
| 摘要 | 操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。 | ||
| 申请公布号 | CN101345086A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810127404.1 | 申请日期 | 2008.06.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜东求;蔡东赫;李承宰 |
| 分类号 | G11C16/26(2006.01);G11C16/06(2006.01) | 主分类号 | G11C16/26(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 1.一种操作多电平非易失性存储器设备的方法，包括：存取被存储在所述设备中的、与读取电压相关的数据；以及响应于对所述多电平非易失性存储器设备的读取操作，修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的所述读取电压，以区分由所述单元存储的状态。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||