铝酸锂晶片的抛光方法

摘要

一种铝酸锂晶片的抛光方法，包括下列步骤：将提拉法生长的铝酸锂晶体，用内圆切割机将其切割成一定厚度的晶片；将此晶片放入浓度为78-80％的盐酸或者硝酸中，升温至80-100℃，保温15-30分钟，取出用氮气吹干，用大视场显微镜观察晶片正反面腐蚀坑的情况，选择腐蚀坑少的一面作为下一步的抛光面；将晶片的待抛光面放在胶盘上，首先选用氧化铝粉对其进行粗磨，粗抛，达到表面平均粗糙度为5-10nm的晶面；对晶面进行精抛，pH＝8-9的SiO₂抛光液，抛光时间为1-3小时，获得表面平均粗糙度为1-2nm的晶面；采用中性金刚砂液，对此晶面继续抛光，抛光时间1.5-2.5小时，可以得到表面平均粗糙度优于0.2nm的晶面的铝酸锂晶片。

主权项

1、一种铝酸锂晶片的抛光方法，其特征在于包括下列步骤：<1>将提拉法生长的铝酸锂晶体，用内圆切割机将其切割成一定厚度的晶片；<2>将此晶片放入浓度为78-80％的盐酸或者硝酸中，升温至80-100℃，保温15-30分钟，取出用氮气吹干，用大视场显微镜观察晶片正反面腐蚀坑的情况，选择腐蚀坑少的一面作为下一步的抛光面；<3>将晶片的待抛光面放在胶盘上，首先选用氧化铝粉对其进行粗磨，粗抛，获得表面平均粗糙度为5-10nm的晶面；<4>对晶面进行精抛，用PH＝8-9的SiO2抛光液，抛光时间为1-3小时，获得表面平均粗糙度为1-2nm的晶面；<5>采用中性金刚砂液，对此晶面继续抛光，抛光时间1.5-2.5小时，得到晶面平均粗糙度优于0.2nm的铝酸锂晶片。