| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 可以实现一种提供了对改变温度的条件下的耐用性的改善、同时确保了诸如对利用大电流、低电阻等的应用的可应用性等特性的技术。半导体器件(100)包括陶瓷多层互连衬底(120)、倒装焊接到陶瓷多层互连衬底(120)的芯片承载区域上的硅芯片(110)、和设置在陶瓷多层互连衬底(120)承载硅芯片(110)一侧的外部连接隆起焊盘(161)和外部连接隆起焊盘(163)。硅芯片(110)包括正面电极和背面电极。陶瓷多层互连衬底(120)包括由导电材料构成的互连层，互连层包括设置在陶瓷多层互连衬底(120)正面上和内部的多层互连层。硅芯片的正面电极通过多层互连层中的多层互连与外部连接隆起焊盘(161)和外部连接隆起焊盘(163)电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN100452378C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200610004507.X | 申请日期 | 2006.01.25 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 田中壮和;小松育男 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01) | 主分类号 | H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：绝缘衬底；倒装焊接到所述绝缘衬底的芯片承载区域上的半导体芯片；以及设置在所述绝缘衬底一侧的外部安装端，在所述绝缘衬底的所述一侧形成所述芯片承载区域，其中所述半导体芯片包括设置在所述半导体芯片的正面上的正面电极和设置在所述半导体芯片的整个背面上的平坦的背面电极，所述平坦的背面电极是另一外部安装端，其中所述绝缘衬底包括由导电材料构成的互连层，其中所述互连层包括设置在所述绝缘衬底的正面上及其内部的多层互连层，以及其中将所述半导体芯片的所述正面电极通过所述多层互连层中的多层互连与所述绝缘衬底一侧的外部安装端电连接。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||