| 发明名称 | 一种光开关的设计及制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光纤通讯和微细加工技术领域，特别是一种光开关的设计及制作工艺。a.用LPCVD低压化学气象淀积在双面抛光的硅片上双面淀积低应力氮化硅厚度；b.正面光刻氮化硅悬臂梁图形；c.RIE反应离子刻蚀形成氮化硅悬臂梁图形；d.背面光刻出腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；e.RIE反应离子刻蚀形成腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；f.涂胶光刻并电子束蒸发金薄膜；g.显影剥离形成金电极；h.KOH溶液在80摄氏度下腐蚀8小时形成氮化硅悬臂梁和光纤沟槽；i.光刻，电子束蒸发剥离形成下极板；j.键和两片硅片。 | ||
| 申请公布号 | CN100451705C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200610002666.6 | 申请日期 | 2006.01.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 董立军;陈大鹏;欧易;景玉鹏 |
| 分类号 | G02B6/35(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | G02B6/35(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 段成云 |
| 主权项 | 1.一种光开关的制作方法，其步骤如下：a用LPCVD低压化学气象淀积在双面抛光的硅片上双面淀积低应力氮化硅薄膜；b 正面光刻氮化硅悬臂梁图形；c RIE反应离子刻蚀形成氮化硅悬臂梁图形；d 背面光刻出腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；e RIE反应离子刻蚀形成腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；f 涂胶光刻并电子束蒸发金薄膜；g 显影剥离形成金电极；h KOH溶液在80摄氏度下腐蚀8小时形成氮化硅悬臂梁和光纤沟槽；i 光刻，电子束蒸发剥离形成下极板；j 键和两片硅片。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||