| 发明名称 | 制造快闪存储装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种可防止产生栅极蚀刻残余物的制造快闪存储装置的方法，其包括以下步骤：(a)在一半导体衬底的预定区域上形成浮动栅极图案；(b)在该半导体衬底的一包括该等浮动栅极图案的预定区域上形成一层间介电膜；(c)在整个表面上沉积一用于一控制栅极的多晶硅膜；(d)藉由一化学溅射工艺回蚀该用于控制栅极的多晶硅膜的表面；及(e)在该用于控制栅极的多晶硅膜上形成一钨膜。藉由同时使用溅射蚀刻及化学蚀刻工艺的化学溅射蚀刻工艺来回蚀用于控制栅极的多晶硅膜的表面，因此，随后形成的钨膜可形成为均一厚度，防止了残余物的产生；并且改进了蚀刻率，因此提高了产量。 | ||
| 申请公布号 | CN100452360C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200510081919.9 | 申请日期 | 2005.07.06 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 安明圭 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于制造一快闪存储装置的方法，该方法包括：a、在一半导体衬底的预定区域上形成浮动栅极图案；b、在该半导体衬底的包括所述浮动栅极图案的一预定区域上形成一层间介电膜；c、在整个表面上沉积一用于一控制栅极的多晶硅膜；d、藉由一化学溅射蚀刻工艺而回蚀用于该控制栅极的所述多晶硅膜的表面，该化学溅射蚀刻工艺为同时使用一化学蚀刻工艺及一溅射蚀刻工艺的工艺；及e、在用于该控制栅极的所述多晶硅膜上形成一钨膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||