| 发明名称 | 低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法，采用氦、氖以及它们与氩气的组合作为工作气体，物理气相沉积法淀积钴、镍或稀土金属中的任一种薄膜，然后按照自对准硅化物工艺制备金属硅化物。本发明可以降低现有半导体硅化物制作过程中常见的等离子体损伤，同时兼容现有的工艺，操作简单。 | ||
| 申请公布号 | CN100452319C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200610028945.X | 申请日期 | 2006.07.14 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈俭 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1、一种低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法，其特征在于：采用氦、氖以及它们与氩气的组合作为工作气体，物理气相沉积法淀积钴、镍或稀土金属中的任一种薄膜，然后按照自对准硅化物工艺制备金属硅化物。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||