发明名称 电荷泵驱动电路
摘要 一种电荷泵驱动电路(10A)包括第一MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)(30)和第二MOSFET(31)。第一MOSFET和第二MOSFET的沟道类型不同并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路。互补的逆变器电路基于输入至输入端(34)的输入电势(Vin)驱动电荷泵电路(20)。第一MOSFET的第一栅极(G1)和第二MOSFET的第二栅极(G2)连接到输入端,以使得在第一栅极的电势不同于在第二栅极的电势。
申请公布号 CN101345475A 申请公布日期 2009.01.14
申请号 CN200810135809.X 申请日期 2008.07.14
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 本多悠里
分类号 H02M3/07(2006.01) 主分类号 H02M3/07(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 陆锦华;黄启行
主权项 1.一种电荷泵驱动电路,包括:作为金属氧化物半导体场效应晶体管的第一晶体管;以及作为金属氧化物半导体场效应晶体管的第二晶体管,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道类型不同,并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被设置以形成互补的逆变器电路;所述互补的逆变器电路基于输入至输入端的输入电势驱动电荷泵电路;以及所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极连接到所述输入端,以使得所述第一栅极的电势不同于所述第二栅极的电势。
地址 日本神奈川