半导体结构与隔绝一第一电路和一第二电路的方法

摘要

一种半导体结构与隔绝一第一电路和一第二电路的方法。该第一电路和该第二电路操作于不同的电压电平。该半导体结构包括有第一隔绝环、埋藏层和离子注入增强层。该第一隔绝环围绕第一和第二电路，设于半导体基底上。该埋藏层设于半导体基底中，连续地延展到该第一和第二电路所在区域之下。该埋藏层与第一隔绝环相接触，用以将该第一和第二电路与该半导体基底的背面偏压相隔离。该离子注入增强层介于该第一和第二电路的元件所在的阱区与该埋藏层之间。该离子注入增强层所具有的掺杂物的导电极性与该埋藏层所具有的掺杂物的导电极性相反，以防止该第一和第二电路其中之一与该埋藏层之间的电压差所导致的穿通效应。

主权项

1.一种半导体结构，用以隔绝一第一电路和一第二电路，该第一电路和该第二电路操作于不同的电压电平，其特征在于，该半导体结构包括：一第一隔绝环，围绕该第一以及该第二电路，设于一半导体基底上；一埋藏层，设于该半导体基底之中，连续地延展到该第一以及该第二电路所在区域之下，其中，该埋藏层与该第一隔绝环相接触，用以将该第一以及该第二电路与该半导体基底的一背面偏压相隔离；以及一离子注入增强层，介于该第一与该第二电路的元件所在的阱区与该埋藏层之间，其中，该离子注入增强层所具有的掺杂物的导电极性与该埋藏层所具有的掺杂物的导电极性相反。