| 发明名称 | 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层；改变生长室压力，在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；改变衬底温度和生长室压力，在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；最后在氮化铝插入层上生长铝镓氮层。 | ||
| 申请公布号 | CN100452322C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200610011228.6 | 申请日期 | 2006.01.18 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓亮;胡国新;马志勇;冉学军;王敏;肖红领;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L29/02(2006.01);H01L29/772(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择-碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层的生长温度为800-1200℃，生长压力为200-500torr，生长厚度为0.01-0.10μm；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的生长温度在900-1100℃之间，生长压力为100-300torr，生长厚度为1-5μm；改变生长室压力，在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层的生长温度在900-1100℃之间，生长压力为300-600torr，生长厚度为0.05-0.5μm；改变衬底温度和生长室压力，在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层，该氮化铝插入层的生长温度在850-1100℃之间，生长压力为100-300torr，生长厚度为0.8-3nm；最后在氮化铝插入层上生长铝镓氮层，该铝镓氮层为非有意掺杂的或n型掺杂的，生长温度在850-1100℃之间，生长压力为100-300torr，生长厚度为15-35nm，Al组分在0.05-0.5之间。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||