发明名称 一种小输出电阻、大输出幅度的电压跟随器
摘要 一种小输出电阻、大输出幅度的电压跟随器属于电压跟随器技术领域,其特征在于含有:1个输入管PMOS管M1,第一电流源I2、以及由2个NMOS管M2和M3,一个电流沉I1以及第二电流源I3构成的反馈环路。该反馈环路使电压跟随器的输出电阻显著变小,输出幅度显著变大,同时使电压跟随器的输入管的漏极成为一个低阻抗节点,从而使输入管的漏极电压波动变小,减小了输入管的沟道调制效应。本发明具有小输出电阻,大输出幅度,高线性度,适合低电压工作的优点。
申请公布号 CN100452647C 申请公布日期 2009.01.14
申请号 CN200710064681.8 申请日期 2007.03.23
申请人 清华大学 发明人 孔耀晖;杨华中
分类号 H03F3/45(2006.01) 主分类号 H03F3/45(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种小输出电阻、大输出幅度的电压跟随器其特征在于,含有:1个PMOS管(M1),作输入管用,栅极接输入电压(Vin),源级接第一节点1,从所述第一节点(1)引出输出电压(Vout),而漏极接第三节点(3);第一电流源(I2),一端接电源电压(VDD),另一端接所述第一节点(1);反馈环路,由第一NMOS管(M2)和第二NMOS管(M3),电流沉(I1),第二电流源(I3)构成,其中,第一NMOS管(M2)的源级与地相连,漏极接所述第一节点(1),栅极接第二节点(2);第二NMOS管(M3)的源级接所述第三节点(3),漏极接所述第二节点(2),而栅极接偏置电压(Vb);电路沉(I1)一端接地,而另一端接第三节点(3);第二电流源(I3)的一端接所述电源电压(VDD),而另一端接第二节点(2);所述电压跟随器的输出电阻rL为:<math><mrow><msub><mi>r</mi><mi>L</mi></msub><mo>&ap;</mo><mfrac><mn>1</mn><mrow><msub><mi>g</mi><mrow><mi>m</mi><mn>2</mn></mrow></msub><msub><mi>g</mi><mrow><mi>m</mi><mn>1</mn></mrow></msub><msub><mi>r</mi><mrow><mi>o</mi><mn>1</mn></mrow></msub><msub><mi>g</mi><mrow><mi>m</mi><mn>3</mn></mrow></msub><msub><mi>r</mi><mrow><mi>o</mi><mn>3</mn></mrow></msub></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow>其中gm1和ro1分别为Mi管的跨导和输出电阻,i=1,2,3;所述电压跟随器在所述第一节点(1)的输出电压净空高度为VDD-3VDsat,其中VDsat是晶体管的饱和电压。
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