用于修正SLM戳图像缺陷的方法和器件

摘要

本发明涉及工件的生产和精确绘图，包括用于光刻的光掩模的制造和在诸如半导体基底之类的其他基底上的直接写操作。具体地说，其涉及对图案数据应用修正，诸如SLM曝光戳域中的变形修正。其可以用于在基底上生产器件。或者，可以将本发明实施为实施所公开的方法的器件或者包括适用于实施所公开的方法的程序的制造物品，特别是是存储器：易失性存储器或者非易失存储器。

主权项

1.一种用于调节要由包括多个微元件的器件产生的强度值的方法，所述强度值与矢量图案数据所表示的图案对应，而所述调节与要被应用于图案的修正参数对应，所述方法包括：将矢量图案数据光栅化为被映射到微元件的强度值；确定与修正参数对应的一个或多个重采样位移矢量；和实时地，将偏移位置处的光栅化的强度值重采样，该偏移位置对应于应用重采样位移矢量，和使用重采样的强度值来控制微元件并且将投影辐射到基底上的辐射敏感层。