发明名称 |
晶片的制造方法及半导体器件的制造方法 |
摘要 |
根据制造半导体晶片和半导体器件的方法,半导体晶片的背面接地,并通过干或湿腐蚀,使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。 |
申请公布号 |
CN100452309C |
申请公布日期 |
2009.01.14 |
申请号 |
CN200510092145.X |
申请日期 |
2005.08.16 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
井口知洋;菅谦太郎;富冈泰造 |
分类号 |
H01L21/302(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/302(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
沈昭坤 |
主权项 |
1.一种制造半导体晶片的方法,其特征在于,包括:在半导体晶片的切割好的主表面上形成多个电路,所述半导体晶片的所述主表面用作半导体芯片形成区;磨削所述半导体晶片的背面;和对所述半导体晶片的背面进行表面处理,使所述半导体晶片的背面的粗糙度一致,所述背面是所述主表面的相对的面,当所述半导体晶片与磨盘一起旋转时,半导体晶片的背面被磨削,所述半导体晶片的背面由绕半导体晶片的转动中心轴转动的磨盘磨削,在任意方向、即第一方向上产生在所述半导体晶片的磨削背面的并经受背面处理的背面的第一刮痕的第1算术平均粗糙度是在垂直于第一方向的方向、即第二方向上产生在所述半导体晶片的磨削背面的并经受背面处理的背面的第二刮痕的第二算术平均粗糙度的1.3倍或更小,所述第二刮痕垂直于所述第一方向。 |
地址 |
日本东京 |