| 发明名称 | 非挥发性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非挥发性存储器的制作方法，首先，提供一基底，此基底具有一沟槽，其中此沟槽将用以形成沟槽式元件。接着，于沟槽中的基底上形成一层掺杂硅化金属层。然后，进行加热工艺，以于掺杂硅化金属层下方的基底中形成源极/漏极区。之后，于掺杂硅化金属层上形成第一导体层并填满沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN100452355C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200510089497.X | 申请日期 | 2005.08.19 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 王炳尧;赖亮全 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种非挥发性存储器的制作方法，包括：提供一基底，该基底具有一沟槽，其中该沟槽将用以形成一沟槽式元件；于该沟槽中的该基底上形成一掺杂硅化金属层；进行一加热工艺，以于该掺杂硅化金属层下方的该基底中形成一源极和漏极区；以及于该掺杂硅化金属层上形成一第一导体层并填满该沟槽。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||