集成电路结构

摘要

本发明提供一种集成电路结构，用以防止集成电路中的耦合噪声，包括：耦接于接地信号的封环包括多个金属线，每一金属线分别对应每一金属层且环绕其晶片的电路区；电性连接各金属线的多个穿孔；以及隔绝各金属层于其他金属层之外的多个介电层。封环可能额外包括由封环内部或外部所形成的封环。半导体结构可能包括激光熔丝及保护环。保护环以耦接于接地信号为佳。通过在子电路间形成封环延伸物可降低在晶片中介于子电路间的串音。

主权项

1.一种集成电路结构，形成于一半导体晶片中，所述集成电路结构包括：一封环，耦接于一信号接地，包括：多个金属线，其中每一金属线分属个别的一金属层，且环绕上述半导体晶片的一电路区；多个穿孔，耦接于一相邻上层或相邻下层的每一金属线；多个介电层，分别将各金属层与相邻下层或相邻上层的金属层隔离；以及一封环延伸物，与上述封环耦接且将电路分成若干区间，其中上述封环延伸物包括：多个额外金属线，设置于在上述电路区的个别金属层；以及多个额外穿孔，耦接于上述各额外金属线至相邻下层或相邻上层的上述额外金属线。