| 发明名称 | 光致抗蚀剂层的重工方法与图案化工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光致抗蚀剂层的重工方法。首先，提供材料层。之后，在材料层上依序形成保护层、第一硬掩模层与第一图案化光致抗蚀剂层，其中保护层与第一硬掩模层具有不同的蚀刻选择性。接着，移除第一图案化光致抗蚀剂层。然后，移除第一硬掩模层至暴露出保护层。随之，在材料层上依序形成第二硬掩模层与第二图案化光致抗蚀剂层。本发明还公开了一种图案化工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101345191A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200710128383.0 | 申请日期 | 2007.07.10 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 何青原;卓志臣 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/033(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种光致抗蚀剂层的重工方法，包括：提供材料层；于该材料层上依序形成保护层、第一硬掩模层与第一图案化光致抗蚀剂层，其中该保护层与该第一硬掩模层具有不同的蚀刻选择性；移除该第一图案化光致抗蚀剂层；移除该第一硬掩模层至暴露出该保护层；以及于该材料层上依序形成第二硬掩模层与第二图案化光致抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||