沟槽栅极场效应器件

摘要

本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。

主权项

1.一种IGBT的半导体器件，包括：第二导电类型的顶区；所述第二导电类型的深区；第一导电类型的中间区，用于使所述顶区和所述深区隔离；第一导电类型的集电极区，与所述深区接触并通过所述深区与所述中间区隔离；发射极电极，与所述顶区连接；集电极电极，与所述集电极区连接；以及沟槽栅极，通过绝缘层面对部分所述中间区，其中面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离，以及其中所述沟槽栅极沿纵向延伸，且所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化，其中提供平行延伸的多个沟槽栅极，并且对于相邻的沟槽栅极之间而言，各沟槽栅极的沿所述纵向的宽度变化以同相位的方式相互对准。