| 发明名称 | 在含氢环境中超高纯碳化硅晶体的生长 | ||
| 摘要 | 公开了一种制备具有可控氮含量的半绝缘碳化硅晶体的方法。所述方法包括如下步骤：将含氢环境气体引入升华生长室；在氢环境生长室中将碳化硅源粉末加热至升华，同时，在氢环境生长室中将碳化硅籽晶加热至比源粉末温度低的第二个温度并随后进行保温，在该第二个温度下，由源粉末升华的物质将凝聚在籽晶上，继续加热碳化硅源粉末直至在籽晶上已出现期望量的碳化硅晶体生长，同时在生长室中保持充分的氢环境浓度，以最大程度地减少进入生长中的碳化硅晶体中的氮量；以及在升华生长期间同时将源粉末和籽晶保持在各自足够高的温度下，以使生长中晶体中点缺陷数目增加至所获碳化硅晶体具有半绝缘性的量。 | ||
| 申请公布号 | CN100451184C | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200480026416.5 | 申请日期 | 2004.07.26 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | D·P·马尔塔;J·R·詹尼;H·M·霍布古德;V·F·茨韦特科夫 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01);C30B23/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/36(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种制备具有可控氮含量的半绝缘碳化硅晶体的方法，所述方法包括：将含氢环境气体引入升华生长室；在氢环境生长室中将碳化硅源粉末加热至升华，同时，在氢环境生长室中将碳化硅籽晶加热至比源粉末温度低的第二个温度并随后进行保温，在该第二个温度下，由源粉末升华的物质将凝聚在籽晶上，继续加热碳化硅源粉末直至在籽晶上已出现希望量的碳化硅晶体生长；同时在生长室中保持充分的氢环境浓度，以最大程度地减少进入生长中的碳化硅晶体中的氮量；以及加热晶体，以使晶体中点缺陷数目增加至使所获碳化硅晶体具有电阻率至少1×105Ω-cm的半绝缘性的量。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||