薄膜晶体管结构

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)结构，用于一晶体管液晶显示器。该薄膜晶体管结构包含一栅极、一第一电极、一第二电极、一介电层及一通道(channel)层。此晶体管结构利用第一电极与栅极的重迭面积，形成一不随工艺流程漂移的寄生电容，可免除外接补偿电容；可提高开口率。

主权项

1、一种薄膜晶体管结构，用于一晶体管液晶显示器，其特征在于，包含：一主薄膜晶体管结构及一附属薄膜晶体管结构，所述主薄膜晶体管结构及所述附属薄膜晶体管结构为并联方式互相电性连结，该主薄膜晶体管结构包含：一栅极，连接到该液晶显示器的一扫描线，该栅极面积涵盖该主薄膜晶体管结构的一第一工作区域；一第一电极，位于该第一工作区域的两侧；一第二电极，位于该第一工作区域的中间；一第一介电层，位于该栅极与该第一工作区域之间；以及一通道层，位于该第一及第二电极下方，与该第一及第二电极电性连接；其中，在该栅极面积涵盖的该主薄膜晶体管的第一工作区域内，该第一电极与该第二电极平行，该第一电极与该第二电极其中之一连接到该液晶显示器的一像素电极，另一电极连接到该液晶显示器的一数据线；该附属薄膜晶体管结构与该主薄膜晶体管结构共享一栅极，该栅极面积涵盖该附属薄膜晶体管结构的一第二工作区域，该附属薄膜晶体管结构包含：一第三电极，位于该第二工作区域的一侧；一第四电极，位于该第二工作区域的中间并电连结到该第二电极；一第二介电层，位于该栅极与该第二工作区域之间；以及一非晶硅层，位于该第三及第四电极下方，与该第三及第四电极电性连接。