| 发明名称 | 防倒灌电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种防倒灌电路，用于MOS器件应用电路；所述MOS器件包括衬底、栅极、漏极和源极所述防倒灌电路包括：第一开关，连接在所述源极与漏极中的一个极和衬底之间；第二开关，连接在所述源极与漏极中的另一个极和衬底之间；第三开关，将所述栅极连接到MOS器件应用电路中；第四开关，连接在所述源极与漏极中的另一个极和栅极之间；以及连接在所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关上的开关控制电路；当所述一个极的电压大于另一个极的电压时，所述第一开关和第三开关闭合，所述第二开关和第四开关断开；当所述一个极电压小于另一个极电压时，所述第一开关和第三开关断开，所述第二开关和第四开关闭合，从而有效避免了漏电流的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101345520A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810041912.8 | 申请日期 | 2008.08.20 |
| 申请人 | 启攀微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 吴珂;于新梅;赵俊杰 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01) | 主分类号 | H03K17/687(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 缪利明;周琪 |
| 主权项 | 1、一种防倒灌电路，用于MOS器件应用电路；所述MOS器件包括衬底(B)、栅极(G)、漏极(D)和源极(S)；其特征在于，所述防倒灌电路包括：第一开关，连接在所述源极(S)与漏极(D)中的一个极(A)和衬底(B)之间；第二开关，连接在所述源极(S)与漏极(D)中的另一个极(C)和衬底(B)之间；第三开关，将所述栅极(G)连接到MOS器件应用电路中；第四开关，连接在所述源极(S)与漏极(D)中的另一个极(C)和栅极(G)之间；以及连接在所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关上的开关控制电路；当所述一个极(A)的电压大于另一个极(C)的电压时，所述第一开关和第三开关闭合，所述第二开关和第四开关断开；当所述一个极(A)电压小于另一个极(C)电压时，所述第一开关和第三开关断开，所述第二开关和第四开关闭合。 | ||
| 地址 | 201103上海市宜山路1618号D栋4楼 | ||