| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种3维结构的半导体装置，其能够在既避免制造工序的复杂化又高精度地把握在多个半导体层中分别形成的半导体元件的位置关系的同时来进行制造。准备作为透明衬底的SiC衬底(2)，在该SiC衬底(2)中形成布线(30、32)、晶体管(10)之后，在其上使GaN层(6)外延生长，接着，在GaN层(6)中形成布线(18、32)。以与布线(18、32)电连接的方式形成晶体管(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN101345241A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200810085238.3 | 申请日期 | 2008.03.10 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 小山英寿;加茂宣卓 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/085(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第1半导体层；第1半导体元件，形成在上述第1半导体层中；第2半导体层，以与上述第1半导体元件重叠的方式层叠在上述第1半导体层上，由透明半导体材料构成；第2半导体元件，形成在上述第2半导体层中；以及布线，在上述第2半导体层内延伸并电连接上述第1、2半导体元件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||