| 发明名称 | 氮化物半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种具备基板和被基板的上面所支持的叠层结构(40)的氮化物半导体元件的制造方法，首先，准备需要被分割成单个基板的晶片(1)。使构成叠层结构(40)的多个半导体层在晶片(1)上生长。通过解理晶片(1)及半导体层形成叠层结构(40)的解理面。在本发明中，在叠层结构中要形成解理面的位置中配置多个空隙。因此，就能够合格率高地进行解理。 | ||
| 申请公布号 | CN101346857A | 申请公布日期 | 2009.01.14 |
| 申请号 | CN200680049460.7 | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 长谷川義晃;横川俊哉;山田笃志;松田佳昭 |
| 分类号 | H01S5/02(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/301(2006.01);H01S5/323(2006.01) | 主分类号 | H01S5/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种氮化物半导体元件的制造方法，所述氮化物半导体元件包括具有上面及下面的基板、和被上述基板的上面所支持的叠层结构，所述制造方法包括：准备要分割成上述基板的晶片的工序；在上述晶片上生长构成上述叠层结构的多个半导体层的工序；和通过解理上述晶片及叠层结构形成解理面的工序；进一步包含在要形成上述解理面的位置上配置多个空隙的工序；上述多个空隙中的至少1个，具有在解理方向上具有长轴的形状。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||