可检测终点的等离子蚀刻方法以及等离子蚀刻装置

摘要

本发明提供一种不需设定用以检测终点的特别区域的等离子蚀刻方法及装置。在对SF₆气体进行等离子化以对Si膜上的防腐蚀底膜(EtchingGround)进行蚀刻的蚀刻步骤中，将该步骤由供应多量的SF₆气体的多量供应步骤与供应少量的SF₆气体的少量供应步骤两个步骤构成。终点检测处理部34测定少量供应步骤中的等离子中的Si或SiFx的发光强度，当所测定的发光强度在预先设定的基准值以下时，判定为蚀刻终点。

主权项

1.一种可检测终点的等离子蚀刻方法，是对具备形成于表面侧的Si膜和形成在该Si膜之下的下层膜的硅基板的所述Si膜进行蚀刻的方法，并且是供应包含SF6气体的蚀刻气体进行等离子化以蚀刻Si膜的等离子蚀刻方法，所述可检测终点的等离子蚀刻方法的特征在于：反复实施供应多量的SF6气体以进行处理的多量供应步骤、和随后减少供应量而供应少量的SF6气体以进行处理的少量供应步骤至少两个步骤，测定所述少量供应步骤中的等离子中的Si或SiFx的发光强度，当所测定的发光强度在预先设定的基准值以下时，判定为蚀刻终点而结束处理。